[发明专利]硅刻蚀液和半导体结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010574549.7 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111690411B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 宁勇;张丝柳;郑晓芬;夏余平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/306;H01L21/311;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅刻蚀液以及一种半导体结构的刻蚀方法。该硅刻蚀液包括以体积分数计的1‑2份氟化氢、1‑3.3份过氧化氢和94.7‑98份去离子水。该半导体结构的刻蚀方法，包括：制备本发明的该硅刻蚀液；提供半导体结构，所述半导体结构的表面上覆盖待刻蚀硅层；以及将所述半导体结构浸泡在所述硅刻蚀液中，至少使所述待刻蚀硅层与所述硅刻蚀液接触。本发明的硅刻蚀液刻蚀速率稳定，具有较好的润湿性能，有利于具有高深宽比的孔状结构中的硅层刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010574549.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
