[发明专利]基于图形化衬底的石墨烯晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202010574678.6 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111725302A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 宁静;王颖;王东;张进成;沈雪;董建国;马佩军;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于图形化衬底的石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有石墨烯晶体管由于其沟道材料具有零带隙而导致无法关断及开关比低的问题。其包括：图形化衬底、沟道层、栅介质层、源极、漏极和栅极。图形化衬底表面设有椭球状凸起；沟道层覆盖于图形化衬底凸起的上表面；源极和漏极位于图形化衬底的上表面，且部分覆盖于沟道层的上表面；栅极位于图形化衬底的上表面，且与沟道层不直接接触；栅介质层位于沟道层的上表面，且部分覆盖于源极、漏极和栅极的上表面。本发明利用图形化衬底的椭球状凸起使附着于其表面的石墨烯薄膜发生机械弯曲，扩展了石墨烯的禁带宽度，提高了石墨烯晶体管的开关比，可用于制作大规模数字集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 图形 衬底 石墨 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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