[发明专利]半导体结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010574927.1 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111900164B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;高建峰;刘卫兵;李俊杰;张月 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：衬底，具有由隔离结构所定义出的有源区；埋入式字线，沿着第一方向延伸跨过所述有源区；埋入式位线，沿至少部分所述隔离结构延伸，且延伸方向与所述第一方向相交；气隙，位于相邻的两个所述埋入式字线之间。通过将埋入式位线形成在隔离结构中，降低了位线‑单元的耦合作用，改善了数据感测裕度，再者，本申请在相邻的埋入式字线之间形成气隙，由于空气的介电常数较小，这样可以降低相邻埋入式字线的耦合作用，达到降低了相邻的有源区之间的行锤击效应，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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