[发明专利]半导体结构及制造方法在审
| 申请号： | 202010574936.0 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111900201A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 金炫昌;高建峰;刘卫兵;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及制造方法，该半导体结构包括：衬底，所述衬底上具有沟槽；位于所述沟槽壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的第一栅极；位于所述第一栅极上的第二栅极，其中第二栅极宽度小于第一栅极；隔离层，位于所述沟槽的上部，并至少填充至第二栅极与沟槽之间的一部分空隙。本申请的半导体结构，具有第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极上且第二栅极的宽度小于第一栅极的宽度，第二栅极的两侧壁与衬底之间具有间隔，有源N型结型晶体管和重叠部分的金属与结之间存在较宽的间隔，改善了栅致漏极泄漏电流特性，解决了金属栅极电阻增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010574936.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及制备方法
- 下一篇：一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置
- 同类专利
- 专利分类
