[发明专利]一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置在审
申请号: | 202010574947.9 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN111900104A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 王铁军;江鹏 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 闵岳峰 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置,包括自上而下设置的石英材质空腔和石英台,且石英材质空腔和石英台之间夹持有热电偶;其中,石英材质空腔上设置有石英空腔冷却气入口和石英空腔冷却气出口,石英台开设有冷却水腔体,该冷却水腔体设置有石英台冷却水入水口和石英台冷却水出水口,石英材质空腔的上表面以及石英台的下表面上均设置有若干石英灯加热器主体。本发明利用基于水冷的石英灯辐射加热,对位于加热区内的试样快速升温进行加热与精确控温,并对达到目标温度的试样进行快速气冷冷却,同时还具有精确控温、可大面积加热、工作寿命长等优点,可面向半导体晶圆材料开展快速热处理,提高半导体晶圆材料的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 快速 退火 处理 加热 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010574947.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及制造方法
- 下一篇:一种基于卤素灯红外辐射加热技术的多功能高温炉
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造