[发明专利]一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置在审

专利信息
申请号: 202010574947.9 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111900104A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 王铁军;江鹏 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 闵岳峰
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置,包括自上而下设置的石英材质空腔和石英台,且石英材质空腔和石英台之间夹持有热电偶;其中,石英材质空腔上设置有石英空腔冷却气入口和石英空腔冷却气出口,石英台开设有冷却水腔体,该冷却水腔体设置有石英台冷却水入水口和石英台冷却水出水口,石英材质空腔的上表面以及石英台的下表面上均设置有若干石英灯加热器主体。本发明利用基于水冷的石英灯辐射加热,对位于加热区内的试样快速升温进行加热与精确控温,并对达到目标温度的试样进行快速气冷冷却,同时还具有精确控温、可大面积加热、工作寿命长等优点,可面向半导体晶圆材料开展快速热处理,提高半导体晶圆材料的性能。
搜索关键词: 一种 用于 半导体 快速 退火 处理 加热 装置
【主权项】:
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