[发明专利]一种压电薄膜体及其制备方法、空腔型器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010575799.2 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111755591A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;刘桂银;王金翠;杨超 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/31;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种压电薄膜体及其制备方法、空腔型器件及其制备的方法，压电薄膜体，包括依次层叠的第一衬底层、缓冲层和第二衬底层、隔离层和压电薄膜层；第二衬底层上刻蚀有至少一个空腔，空腔贯穿第二衬底层；空腔内由填充层完全填充；其中，填充层与隔离层的材料相同，并且填充层与隔离层的材料满足在对第二衬底层进行湿法刻蚀处理时，侵蚀溶液侵蚀填充层和隔离层，且，侵蚀溶液不侵蚀第二衬底层和所述压电薄膜层。在利用该压电薄膜体制备空腔型器件时，能够利用湿法刻蚀方法，去除空腔内的填充层，以及与空腔对应的隔离层，而不破坏第二衬底层，从而能够得到与预设空腔尺寸一致的空腔，并且采用湿法刻蚀方法不会破坏压电薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 薄膜 及其 制备 方法 空腔 器件 | ||
【主权项】：
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