[发明专利]一种多孔/中空结构硅基负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010577062.4 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111689501B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘江平;姚林林;陈青华;房冰;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C01B32/168;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 321100 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多孔/中空结构硅基负极材料的制备方法，包括以下步骤：S1：在升华腔1中加热提供SiO气体的原料以升华产生SiO蒸汽；S2：在升华腔2中加热可溶性盐以升华产生可溶性盐蒸汽；S3：将SiO蒸汽与可溶性盐蒸汽引入至冷凝腔沉积得到前驱体；S4：将前驱体进行破碎、筛选、水洗、烘干后得到所述多孔/中空结构的硅基负极材料。本发明提供的制备方法简单易行、成本低，适合大规模生产，所制得的负极材料的孔隙分布均匀且可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 中空 结构 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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