[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010578084.2 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151597A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;邱奕勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文描述了消除对于读取辅助电路的需求的装置和方法。在一个实施例中，半导体装置包括源极区域和漏极区域其形成在高于基板。埋入的绝缘体(BI)层形成在源极区域或漏极区域任一者下方。第一纳米片形成于(i)在水平方向上介于源极区域和漏极区域之间；并且(ii)在垂直方向上高于埋入的绝缘体层。埋入的绝缘体层减少了流过第一纳米片的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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