[发明专利]一种具有极化掺杂复合极性面电子阻挡层的紫外LED

摘要

本发明公开了一种具有极化掺杂复合极性面电子阻挡层的紫外LED，包括由下至上依次设置的衬底、低温AIN成核层、高温AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Alx1Ga1‑x1N/Alx2Ga1‑x2N多量子阱有源区、极化掺杂复合极性面电子阻挡层和p型Alx5Ga1‑x5N层，所述n型AlGaN层上设置n型欧姆电极，所述p型Alx5Ga1‑x5N层上设置p型欧姆电极，所述极化掺杂复合极性面电子阻挡层包括由下至上设置的氮极性面p型Alx3Ga1‑x3N电子阻挡层和金属极性面p型Alx4Ga1‑x4N电子阻挡层。本发明的极化掺杂复合极性面电子阻挡层具有更高的电子阻挡层空穴浓度，有利于p型Alx5Ga1‑x5N层的空穴注入；减小了有源区与电子阻挡层的晶格失配，提高了外延层晶体质量；增加了有源区电子空穴的辐射复合效率，提高了紫外发光二极管的发光效率。