[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010579365.X | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111725319B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底、外延层、源端区域、漏端区域、栅极结构和侧墙，该源端区域包括：P型阱区；至少一个第一注入区；至少一个第二注入区；第一浅掺杂区域；第二浅掺杂区域；形成于整个源区且覆盖全部第一注入区、第二注入区、第一浅掺杂区域和第二浅掺杂区域的第三注入区，其中，第三注入区为N型注入区，第三注入区的掺杂浓度大于第一和第二浅掺杂区域的掺杂浓度，且小于第一和第二注入区的掺杂浓度。本发明通过在源端区域增加了比浅掺杂区域的浓度更高的N型注入区，进而有效的降低源端与漏端之间的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子股份有限公司，未经杰华特微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010579365.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
