[发明专利]一种浅沟槽场板SiGe HBT及其制作方法有效
| 申请号： | 202010579501.5 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111883580B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘静;史一凡;刘纯 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT，包括p型衬底，衬底上端设有n型埋层，埋层上端设有集电区，集电区中间隔设有浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区中有场板，集电区上端为p型SiGe基区，SiGe基区上设有n+多晶硅发射区，多晶硅发射区的相对两侧分别设有p+多晶硅外基区，集电区与外基区之间设有隔离氧化层，多晶硅发射区与多晶硅外基区间有侧墙，多晶硅外基区、多晶硅发射区、多晶硅发射区的引出端表面均设有硅化钛。本发明还公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法，本发明中的SiGe HBT能够提高器件电学性能，缓解基区扭结效应造成的器件高频应用时最大稳定增益较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 sige hbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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