[发明专利]超结碳化硅肖特基二极管在审
| 申请号： | 202010582122.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111755531A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吉炜 | 申请（专利权）人： | 无锡市乾野微纳电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁睦宇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超结碳化硅肖特基二极管，包括碳化硅衬底、外延层、氧化层及金属电极层，外延层设置于碳化硅衬底上，外延层上开设梯形沟槽；氧化层设置于梯形沟槽内，并且氧化层与外延层的倾斜侧壁之间设置有注入区；金属电极层包括上接触电极和下接触电极，上接触电极设置于外延层远离碳化硅衬底上，下接触电极设置于碳化硅衬底上。本发明通过在外延层上开设梯形沟槽，并且在外延层和氧化层之间设置注入区，即通过在梯形沟槽侧壁注入既可以作为超结效应的负电荷耗尽区，也可以作为结势垒肖特基效应的埋结，因此这种结构的二极管结合了超结结构的耐高电压和结势垒肖特基二极管的低反向漏电电流，提升了二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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