[发明专利]有机发光二极管器件、其制备方法及阵列基板在审

专利信息
申请号: 202010582220.5 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111710798A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 高昊;樊星;吴启晓;李鑫 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 于小凤
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供一种有机发光二极管器件、其制备方法及阵列基板,其中,有机发光二极管器件包括:阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的发光功能层,在所述阴极远离所述发光功能层的一侧依次设置有覆盖层、光学调整层以及薄膜封装层,所述覆盖层形成于所述薄膜封装层靠近所述阴极一侧的器件表面,且完全覆盖所述器件表面,所述光学调整层用于抵消或削弱所述覆盖层对所述有机发光二极管器件的光学性能产生的影响。
搜索关键词: 有机 发光二极管 器件 制备 方法 阵列
【主权项】:
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