[发明专利]具有金属氧化物帽盖的接触部以抑制短接的有源栅极上方接触部在审
申请号: | 202010582897.9 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN112542455A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | R·胡拉尼;R·弗里兰;G·埃尔巴兹;M·昌德霍克;R·E·申克尔;G·辛格;F·格瑟特莱恩;N·卡比尔;T·A·特罗尼克;E·韩 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L23/522 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘炳胜 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述了具有金属氧化物帽盖结构的有源栅极上方接触部。在示例中,一种集成电路结构包括衬底上方的多个栅极结构,栅极结构中的每个在其上包括栅极绝缘层。多个导电沟槽接触结构与多个栅极结构交替,导电沟槽接触结构中的每个在其上包括金属氧化物帽盖结构。层间电介质材料在多个栅极结构上方并且在多个导电沟槽接触结构上方。开口在层间电介质材料中并且在多个栅极结构中的对应的一个的栅极绝缘层中。导电过孔在开口中,导电过孔与多个栅极结构中的对应的一个直接接触,并且导电过孔在金属氧化物帽盖结构中的一个或多个的一部分上。 | ||
搜索关键词: | 具有 金属 氧化物 接触 抑制 有源 栅极 上方 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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