[发明专利]具有金属氧化物帽盖的接触部以抑制短接的有源栅极上方接触部在审

专利信息
申请号: 202010582897.9 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN112542455A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: R·胡拉尼;R·弗里兰;G·埃尔巴兹;M·昌德霍克;R·E·申克尔;G·辛格;F·格瑟特莱恩;N·卡比尔;T·A·特罗尼克;E·韩 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L23/522
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘炳胜
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了具有金属氧化物帽盖结构的有源栅极上方接触部。在示例中,一种集成电路结构包括衬底上方的多个栅极结构,栅极结构中的每个在其上包括栅极绝缘层。多个导电沟槽接触结构与多个栅极结构交替,导电沟槽接触结构中的每个在其上包括金属氧化物帽盖结构。层间电介质材料在多个栅极结构上方并且在多个导电沟槽接触结构上方。开口在层间电介质材料中并且在多个栅极结构中的对应的一个的栅极绝缘层中。导电过孔在开口中,导电过孔与多个栅极结构中的对应的一个直接接触,并且导电过孔在金属氧化物帽盖结构中的一个或多个的一部分上。
搜索关键词: 具有 金属 氧化物 接触 抑制 有源 栅极 上方
【主权项】:
暂无信息
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