[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，在利用掩膜层刻蚀半导体衬底而形成有源区之后，逐渐缩小所述掩膜层的线宽，并将所述掩膜层暴露出的所述有源区的顶部表面修整为弧形曲面，该弧形曲面的纵剖形状介于椭圆弧和圆弧之间，其最大理想值可以为圆弧，此时，当现有设计规则定义有源区的线宽为A时，本发明改良后的有源区的弧形曲面所对应的表面弧长介于A和3.14A之间，有效沟道宽度被显著增大，根据导通电流与有效沟道宽度成正比的关系，器件的导通电流随之被显著增大，进而能有效提高器件速度和性能。此外，在将所述有源区的顶部表面修整为弧形曲面后仍保留有掩膜层，以在后续利用掩膜层来打开绝缘隔离层，简化工艺，节约成本。