[发明专利]具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件有效
| 申请号： | 202010583152.4 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111697130B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王开友;张楠;曹易 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件；其中，具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元包括：磁性自由层，所述磁性自由层包括：垂直磁化的铁磁性区域和功能性区域；其中，所述铁磁性区域和功能性区域形成水平不对称结构；当电流流经磁性自由层，功能性区域及功能性区域与铁磁性区域的界面处产生作用于铁磁性区域的一自旋轨道矩，使铁磁性区域发生定向翻转。本发明可以实现无外磁场下的磁矩定向翻转，可以简化器件结构和工艺难度，降低器件制造成本，降低能耗，实现器件的小型化、提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 水平 不对称 结构 磁性 自由 存储 单元 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
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