[发明专利]一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 202010584248.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111697104B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李丽波;崔文俊;翟墨;杜金田 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0749;C23C28/04;B41M1/26;B41M1/12 |
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| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法，它涉及一种制备铜铟镓硒太阳能电池的方法。本发明采用全非真空工艺的多层叠加方法制备一体化铜铟镓硒太阳能电池。本发明的制备过程如下：一、对掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)进行前处理；二、采用溶胶凝胶法制备FTO/ZnO薄膜；三、采用两电极恒电位法制备FTO/ZnO/ZnS薄膜；四、采用油墨法制备FTO/ZnO/ZnS/CIGS薄膜；五、采用丝网印刷法制备FTO/ZnO/ZnS/CIGS倒置太阳能电池。本发明制备的铜铟镓硒太阳能电池有较大的吸光性，表现出合适的吸光度，而且制备工艺简单、安全，成本低。本发明适用于薄膜太阳能电池领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 制备 铜铟镓硒 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
