[发明专利]一种基于混合卤素的红光钙钛矿发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010584268.X 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN111916571B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 陈江山;马东阁;张灯亮;杨德志;乔现锋 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 郭炜绵
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于混合卤素的红光钙钛矿发光二极管及其制备方法,该发光二极管依次包括透明衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层1、空穴传输层2、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和阴极;所述钙钛矿发光层由钙钛矿前驱体溶液旋涂制备而成;在旋涂过程中滴加反溶剂;所述钙钛矿前驱体溶液由碘化铯CsI、溴化铯CsBr、溴化铅PbBr2、碘化铅PbI2、有机溴化铵盐LBr和有机碘化胺盐LI溶解于极性溶剂中制备而成。本发明通过将大尺寸有机阳离子和混合卤素结合,抑制了非发光活性钙钛矿相的生成,降低了卤素离子的移动,在提高红光钙钛矿LED亮度和效率的同时,实现了光谱稳定性。
搜索关键词: 一种 基于 混合 卤素 红光 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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