[发明专利]具有并行化多级程序电压验证的SSD在审
| 申请号： | 202010584273.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112614532A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨翔;S·R·拉杰瓦德;A·哈基菲罗兹;T·A·阿明别沙里 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种设备。该设备包括存储装置控制器，该存储装置控制器具有逻辑电路，以向一组非易失性存储单元应用针对第一阈值电平的程序电压验证过程并且将根据过程确定的针对所述一组非易失性存储单元的第一程序电压与第二阈值电平相关，以为一组非易失性存储单元针对第二阈值电平确定第二程序电压。第二阈值电平高于第一阈值电平。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 并行 多级 程序 电压 验证 ssd | ||
【主权项】：
暂无信息
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