[发明专利]一种改善IO器件热载流子效应的方法在审
| 申请号： | 202010584730.6 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111653485A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陆逸枫;张志诚;陈明志 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善IO器件热载流子效应的方法，同一基底上设有第一、第二阱区，第一、第二阱区上依次设有第一、第二多晶硅栅极；在第一、第二多晶硅栅极及两侧的LDD区上形成厚度满足IO器件扩展区宽度要求的氮化硅层；旋涂覆盖第一、第二多晶硅栅极的光刻胶；光刻露出第一多晶硅栅极上及其两侧的LDD区上的氮化硅；刻蚀第一多晶硅栅极顶部和侧壁的氮化硅至第一多晶硅栅极侧壁的氮化硅厚度满足Core器件的扩展区的宽度要求时停止。本发明分别对Core器件与IO器件栅极侧壁刻蚀，在不改变Core器件侧壁氮化硅宽度的前提下，增加IO器件的侧壁宽度，使之形成更宽的LDD扩展区，有利于电场向漏极延伸，削弱了峰值电场，改善了IO器件的热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 io 器件 载流子 效应 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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