[发明专利]铌化合物和形成薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010585301.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112341489A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李沼姈;柳承旻;朴圭熙;林载顺;曺仑廷;斋藤昭夫;布施若菜;青木雄太郎;小出幸宜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;株式会社ADEKA |
| 主分类号： | C07F9/00 | 分类号： | C07F9/00;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I] |
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| 搜索关键词： | 化合物 形成 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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