[发明专利]一种失效分析去层方法有效
| 申请号： | 202010585440.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111812124B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 沈仁慧;史燕萍;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/02 | 分类号： | G01N23/02;G01N23/20008;G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种失效分析去层方法，截取样品并将其放入激光切割机，确定样品的失效分析区域和目标位置；目标位置所在失效分析层为Mx；利用激光切割机制作环绕目标位置的多个沟槽；沟槽底部位于金属层Mx+2层上或其以下深度的位置；环绕目标位置的多个沟槽相邻彼此相互贯通，沟槽环绕目标位置的失效分析区域相对于样品其他区域被划分为基于失效分析的独立区域；将样品置于抛光机上，针对被沟槽环绕的失效分析区域进行去层研磨并利用光学显微镜观察研磨位置，研磨至去除失效分析层Mx以上金属层，并将失效分析上Mx中的目标位置暴露为止。本发明的失效分析去层方法在保证芯片去层精确性、有效性的同时缩短磨样时间，增强效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
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