[发明专利]红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的读出电路有效
| 申请号： | 202010585611.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111755572B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 谢珩;刘明;张敏;宁提;张鹏;谭振 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/09;H01L31/101 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的红外探测器读出电路，本发明通过在读出电路上涂覆光刻胶，并在读出电路的预设位置制备铟凸点，再去除光刻胶上的铟层，然后在铟凸点上重复镀铟、去除光刻胶上的铟层，直到得到预设高度的铟凸点，从而有效解决了现有技术中对小间距红外探测器铟凸点的制备高度不能满足要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 读出 电路 铟凸点 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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