[发明专利]一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法在审
申请号: | 202010585672.9 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN111883540A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 杨玉超;程彩蝶;黄如 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/11585 | 分类号: | H01L27/11585;G11C11/22 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法。本发明采用两个反向串联的铁电隧穿结器件组成的三端铁电隧穿结存储器来实现布尔逻辑运算,以两个铁电隧穿结器件的操作电压作为逻辑门的输入,读出的电流即为逻辑值,通过外加操作电压和读取电压改变输出结果,实现逻辑操作,运算结果存储在三端铁电隧穿结存储器中。不需要多余的擦写操作,不会造成计算能量的散失,这种计算与存储融合的可逆逻辑门在算法上可以进一步降低计算网络的功耗问题,在未来新型计算架构方面具备极大的应用价值,对于未来的类脑计算硬件的实现具有重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 三端铁电隧穿 结存 及其 制备 方法 逻辑电路 控制 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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