[发明专利]拉制低光衰单晶的工艺及单晶、硅棒、硅片、电池及组件在审
| 申请号： | 202010585877.7 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113832542A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杨志;王建平;乌恩;王林;徐强 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04;C30B15/00;H01L31/042 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种拉制低光衰单晶的工艺，在装料时，将多晶硅原料与掺杂剂装入坩埚内，进行直拉单晶；以及，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺，高晶转工艺为晶转大于10rpm；拉制多颗短段单晶。本发明的有益效果是采用直拉法进行单晶的拉制，在拉制单晶过程中，在拉制初始及复投、炉台异常时，加入掺杂剂，同时，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺进行单晶的拉制，并采用自动转肩工艺和多颗短段单晶拉制工艺，减少单晶的RRV不良，降低单晶衰减率。 | ||
| 搜索关键词： | 拉制 低光衰单晶 工艺 硅棒 硅片 电池 组件 | ||
【主权项】：
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