[发明专利]线路结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010586607.8 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111834233A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王冬明;何兰兰 | 申请（专利权）人： | 南昌欧菲显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 330100 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种线路结构及其制备方法，该线路结构，包括：基层，以及依次叠置在基层上的第一金属线路层、第二金属线路层、第三金属线路层；其中，第一金属线路层和第三金属线路层的金属活性均与第二金属线路层的金属活性不同，第一金属线路层、第二金属线路层，以及第三金属线路层三者在基层上的投影重合。在本发明中，金属导电线路分成三层，每一层的厚度都可以设置的较小，这样在蚀刻每一层金属层时，都可以避免该金属层远离基层的一侧蚀刻量过大。同时，每一次蚀刻时，蚀刻液都不会侵蚀其他已经制备完成的金属线路层，故通过本方法，可以有效解决金属层远离基层的一侧因蚀刻量过大而导致最终得到金属线路不能满足正常需要的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 线路 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
