[发明专利]MOSFET导通电阻的检测电路和方法、芯片及电池管理系统有效
| 申请号： | 202010587115.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111766495B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 周号 | 申请（专利权）人： | 珠海迈巨微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/02;H02J7/00;H01M10/42 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波;韩德凯 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新区唐家*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种MOSFET导通电阻的检测电路，包括：被测MOSFET，被测MOSFET的一端连接至电池/电池组的正端或负端；以及串联电路，串联电路为基准电阻与控制MOSFET的串联电路，其中串联电路的一端与被测MOSFET的另一端连接，并且串联电路的另一端与电池/电池组的负端或正端，其中，被测MOSFET导通并且控制MOSFET导通时，电池/电池组、被测MOSFET、基准电阻、控制MOSFET形成检测回路，在检测回路中，通过测得的电池/电池组的电压、被测MOSFET和/或控制MOSFET的测得的源漏电压差值、以及基准电阻的电阻值来得到被测MOSFET的导通电阻。本公开还提供了一种MOSFET导通电阻的检测方法、芯片及电池管理系统。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 通电 检测 电路 方法 芯片 电池 管理 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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