[发明专利]硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法有效
| 申请号： | 202010587423.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111693906B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黄勇军;陈鼎威;施钦凯;文光俊;李建;沈方平;孙国庆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;苏州芯镁信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法，包括以下步骤S1、准备SOI衬底；S2、在SOI衬底表面蒸镀一层绝缘介质层，在绝缘介质层上蒸镀一层金属薄膜形成洛伦兹线圈结构；S3、通过图形化处理和等离子体增强蚀刻工艺在SOI衬底上蚀刻出大质量块、固定块、悬臂梁以及周期排列的腐蚀孔；S4、采用电子束曝光刻蚀技术，刻蚀出光子晶体结构；S5、采用HF气体腐蚀大质量块、固定块以及光子晶体区域下方SOI衬底埋氧层。本发明采用了新型的金属氧化物和氟化物作为介质层，并使用HF干法释放工艺，解决了传统介质层无法耐受HF溶液的问题，极大的缩短了工艺时间，且不存在局部F离子浓度不均匀的状况，刻蚀更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基腔光 机械 系统 洛伦兹力 磁场 传感器 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
