[发明专利]一种用碳包覆制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用在审
| 申请号： | 202010588120.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111875387A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 伍尚华;杨平;李建斌 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/593;C04B35/64;C04B41/85 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 李庆伟 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种用碳包覆制备制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用，该方法是将聚多巴胺包覆的的氮化硅粉末与烧结助剂混合，获得混合粉末置于石墨模具，在真空气氛下加热至600～800℃碳化，形成核壳结构的碳‑氮化硅粉末，然后加以20～30MPa轴向压力，在保护气氛下，加热至1200～1500℃还原反应，再升温至1600～2000℃烧结，制得氮化硅陶瓷。本发明可精确控制碳层分布和精准调节碳层结构，有效还原氮化硅表面二氧化硅，降低氮化硅粉末氧含量，提高氮化硅陶瓷热导率。该氮化硅陶瓷的致密度高于98.5％，其热导率可达80W/(m·K)以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用碳包覆 制备 低氧 含量 高热 氮化 陶瓷 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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