[发明专利]基于SOI深硅刻蚀的矩形波导管芯制作方法及波导组件在审
| 申请号： | 202010588464.4 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111697308A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王斌;宋振国;付延新;桑锦正;孙建华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P3/14;G02B6/13;G02B6/122 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于SOI深硅刻蚀的矩形波导管芯制作方法及波导组件，其制备方法为：采用深硅刻蚀法在SOI基片刻蚀波导腔，波导腔为凹槽结构，凹槽结构的部分中轴线为圆弧线，在刻蚀波导腔的SOI基片表面制备金属层；在硅片表面制备金属层；将硅片表面的金属层与SOI基片表面的金属层贴合，使波导腔封闭，形成堆叠体；对堆叠体进行压合处理，所述压合处理为，对堆叠体施加压力、加热，使硅片表面的金属层与SOI基片表面的金属层相互扩散结合；按照波导腔的形状切割压合处理的堆叠体，使波导腔中轴线两端开口露出，获得波导管芯前体，在波导管芯前体表面制备金属层获得波导管芯。本发明提供的方法能够避免波导内腔直角处呈圆弧形等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 刻蚀 矩形波导 管芯 制作方法 波导 组件 | ||
【主权项】：
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