[发明专利]基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法有效
申请号: | 202010588569.X | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN111710750B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 殷红;李冬冬;高伟 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/18;H01L21/203 |
代理公司: | 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙) 22212 | 代理人: | 李荣武 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法,包括衬底、紫外光敏层和叉指电极,其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜,对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越,通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高,具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点,通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度,从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应,实现紫外光电探测器对日盲波段的有效探测。 | ||
搜索关键词: | 基于 氮化 硼厚膜 深紫 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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