[发明专利]基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010588569.X 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN111710750B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 殷红;李冬冬;高伟 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/18;H01L21/203
代理公司: 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙) 22212 代理人: 李荣武
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法,包括衬底、紫外光敏层和叉指电极,其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜,对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越,通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高,具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点,通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度,从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应,实现紫外光电探测器对日盲波段的有效探测。
搜索关键词: 基于 氮化 硼厚膜 深紫 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
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