[发明专利]一种碳化硅器件的门极驱动电路及驱动方法在审
申请号: | 202010588794.3 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN111654268A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 张勇;刘平 | 申请(专利权)人: | 长沙丹芬瑞电气技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/042 | 分类号: | H03K17/042;H03K17/082 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘奕 |
地址: | 410100 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅器件的门极驱动电路及驱动方法,能够抑制导通过程中电流过冲,有效的提高电路系统的可靠性,减小了碳化硅器件的导通损耗。门极驱动电路包括:驱动模块、分压模块、积分模块及差分模块;驱动模块根据脉冲宽度调制信号生成原始驱动信号;分压模块对原始驱动信号进行分压处理,得到第一电压信号和第二电压信号,将第一电压信号发送至积分模块,将第二电压信号发送至差分模块;积分模块对第一电压信号进行预置时间的延迟处理;差分模块对延迟处理后的第一电压信号和第二电压信号进行差分运算,得到输出信号,使得在预置时间之前,输出信号为第二电压信号,在预置时间之后,输出信号的电压值小于第二电压信号的电压值。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 器件 驱动 电路 方法 | ||
【主权项】:
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