[发明专利]一种用于射频微系统垂直互联的混合基通孔微同轴结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010589618.1 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111682013A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郭西 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省杭州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于射频微系统垂直互联的混合基通孔微同轴结构及其制作方法，硅晶圆上包括TSV孔结构，TSV孔结构的内壁上设置种子层，且完全覆盖TSV孔结构的内壁；绝缘层设置在种子层上，且绝缘层完全覆盖种子层；TSV孔结构的内部填满玻璃介质，玻璃介质内设置通孔，通孔内设置信号线；本发明提供了避免环状孔的刻蚀与填充，从而大大减少缺陷与失效的一种用于射频微系统垂直互联的混合基通孔微同轴结构及其制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 射频 系统 垂直 混合 基通孔微 同轴 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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