[发明专利]一种带导光结构的光电二极管及其制作方法在审
申请号: | 202010591023.X | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112054073A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 张江勇;杨健 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;陈淑娴 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种带导光结构的光电二极管及其制作方法,包括衬底、光电转换结构和导光结构,光电转换结构设于所述衬底之上且顶面设有收光口,导光结构包括设于收光口之上的锥形导光孔和设于锥形导光孔内侧壁的高反射层,其中锥形导光孔由覆盖光电转换结构顶部的有机聚合物层开口形成,锥形导光孔的底部孔径与所述收光口相对应,顶部孔径大于底部孔径。本发明在光电二极管光敏面上利用半导体微加工技术制作了一个具有较大收光孔径的导光结构,可提高光纤耦合效率,降低封装成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 带导光 结构 光电二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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