[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 202010591338.4 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112310076A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 权宁汉;郑修然;裵金钟;裵东一 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/78 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括:衬底;第一下图案和第二下图案,位于所述衬底上并且在第一方向上排成一行;第一有源图案堆叠,设置在所述第一下图案上并且与所述第一下图案间隔开;第二有源图案堆叠,设置在所述第二下图案上并且与所述第二下图案间隔开;鳍形切割栅极结构,设置在所述第一下图案上,所述鳍形切割栅极结构的一部分与所述第一下图案交叠;第一栅极结构,围绕所述第一有源图案堆叠并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;第二栅极结构,围绕所述第二有源图案堆叠并且在所述第二方向上延伸;以及器件隔离层,位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间并且将所述第一下图案与所述第二下图案分开。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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