[发明专利]一种Cu2有效

专利信息
申请号: 202010591607.7 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN111564326B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 王西新;印泽坤;赵建玲;李子庆 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;C25D11/26;C25D3/38;B22F9/24
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一种Cu2O‑Cu/二氧化钛纳米管阵列复合电极的制备方法。该方法先通过电沉积将金属铜沉积到二氧化钛纳米管阵列与钛基底的交界处,然后通过化学沉淀和水热还原将铜颗粒沉积到二氧化钛纳米管阵列中,铜颗粒的表面被氧化形成氧化亚铜。本发明克服了铜氧化物和二氧化钛纳米管阵列的导电性差、铜氧化物利用率低的问题,提高了复合电极的性能。
搜索关键词: 一种 cu base sub
【主权项】:
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