[发明专利]用于对半导体光子器件进行折射指数调整的机构在审
| 申请号： | 202010591816.1 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112558220A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | H·贾亚蒂勒卡;H·弗里希;R·库马尔;H·荣;J·赫克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例包括包括具有设置在基板上方的波导的半导体光子器件的装置、方法和系统。波导具有包括具有第一折射指数的非晶硅的第一区段，以及包括具有不同于第一折射指数的第二折射指数的晶体硅的第二区段。半导体光子器件还包括波导的第一区段附近的加热元件。加热元件被布置成产生热量，以将波导的第一区段的非晶硅转化成具有第三折射指数的部分或完全结晶的晶体硅。第一区段中的非晶硅可以形成有由注入到第一区段中的元素引起的硅晶格缺陷。还可以描述和要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对半 导体 光子 器件 进行 折射 指数 调整 机构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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