[发明专利]一种具有锗梯度的铜锌锡锗硒吸收层薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有锗梯度的铜锌锡锗硒吸收层薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)钼层和锗层的制备：在预处理后的所述衬底上依次沉积第一钼层、锗层、第二钼层；(3)铜锌锡硫预制层的制备；(4)铜锌锡锗硒吸收层薄膜的制备：将步骤(3)铜锌锡硫预制层制备完成后的所述衬底在210℃热处理30min，然后与硒粉放入硒化炉中，以20℃/min的升温速率从室温升温至550℃，并保温10～13min，自然冷却至室温后得到具有锗梯度的铜锌锡锗硒吸收层薄膜；通过本发明的制备方法可以在背表面形成Ge的浓度梯度，形成一个电子的阻挡层，阻挡载流子在背表面界面处的复合，提高铜锌锡硒基薄膜的载流子收集效率，进一步提升薄膜的性能。