[发明专利]降低非易失性存储器中的由于待机泄漏电流引起的功耗在审
| 申请号： | 202010592584.1 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112578895A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | R·法斯托;S·纳塔拉詹;C·W·何;C·罗;K·哈斯纳特;C·林;S·艾哈迈德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F1/3234 | 分类号： | G06F1/3234;G06F1/3225;G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 非易失性存储器支持待机状态和深度掉电状态，在待机状态下，存储器就绪以接收要执行的访问命令，在深度掉电状态下，存储器忽略所有的访问命令。存储器可以响应于处于待机状态的阈值时间量从待机状态变换到深度掉电状态。因而，存储器可以在命令之后进入待机状态，并且然后在阈值时间之后变换到深度掉电状态。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 非易失性存储器 中的 由于 待机 泄漏 电流 引起 功耗 | ||
【主权项】：
暂无信息
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