[发明专利]高压CMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010594642.4 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111785777B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L27/092;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高压CMOS器件及其制造方法，位于P型衬底上的P阱；位于P型衬底上表面、P阱区域内的栅极氧化层；栅极氧化层上设有栅极结构；栅极结构两侧的源漏端设有高压LDD区；源漏端还设有中压LDD区；中压LDD区与栅极结构形成纵向交叠；栅极结构两侧的源漏端还设有N型重掺杂区；高中压LDD区与N型重掺杂区相互交叠；栅极结构的侧壁设有侧墙。本发明增加LDD区与栅极多晶硅的交叠尺寸，在注入形成高能量LDD区后，又增加了中等能量的掺杂离子注入形成与高能量LDD区交叠的中等能量的LDD区，在形成高能量LDD区后，以多晶硅为屏蔽层以大斜角注入中等能量掺杂离子，一方面避免打穿多晶硅；另一方面可使高压CMOS器件的击穿电压有效提高0.8V。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 cmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010594642.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种涤纶印花织物增厚手感的工艺
- 下一篇：在线桌面信息台运行系统
- 同类专利
- 专利分类
