[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202010597523.4 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151675A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;林杏芝;刘人诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/485;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例涉及包括具有正面和背面的半导体衬底的半导体结构。互连结构设置在正面上方。互连结构包括可操作地将设置在半导体衬底的正面中或上的半导体晶体管器件彼此耦接的多个金属线和通孔。沟槽设置在半导体衬底的背面中。沟槽填充有内部电容器电极、位于内部电容器电极上面的电容器介电层和位于电容器介电层上面的外部电容器电极。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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