[发明专利]阵列基板制备方法和阵列基板在审
申请号: | 202010597543.1 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111640706A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 吴咏波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高杨丽 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供的阵列基板制备方法包括采用有源层光罩形成遮光层图案,再利用有源层光罩形成有源层图案,遮光层图案在衬底基板上正投影覆盖有源层图案在衬底基板上的正投影;通过遮光层和有源层共用一有源层光罩形成,节省了一道遮光层光罩,解决了现有阵列基板存在形成遮光层的成本较高的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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