[发明专利]面向高频应用的双沟槽型SiC MOSFET结构及制造方法有效
| 申请号： | 202010598803.7 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111799322B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 岳瑞峰;杨同同;王燕 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 白雪静 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种面向高频应用的双沟槽型SiC MOSFET结构及制造方法，其中，双沟槽型SiC MOSFET结构构建在N |
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| 搜索关键词： | 面向 高频 应用 沟槽 sic mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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