[发明专利]无创可赋形双模态脑机接口有效

专利信息
申请号: 202010599504.5 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN111714119B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 冯雪;张晓佳;马寅佶 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: A61B5/369 分类号: A61B5/369;A61B5/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种无创可赋形双模态脑机接口,所述无创可赋形双模态脑机接口包括:多个EEG电极(1);多个fNIRS探头(2),所述fNIRS探头(2)与所述EEG电极(1)成对配置;以及多根柔性导线(3),各所述柔性导线(3)的一端与所述EEG电极(1)或所述fNIRS探头(2)连接,而另一端在被汇集到一起之后经由柔性引线接口与外部装置连接,其中所述EEG电极(1)包括微纳结构层(6),并且所述EEG电极(1)和所述fNIRS探头(2)均包括在使用时将与头皮表面接触的仿生材料层(4)。
搜索关键词: 无创可 赋形 双模 态脑机 接口
【主权项】:
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