[发明专利]一种激光熔覆制备预焊覆铜陶瓷基板方法在审
| 申请号： | 202010601341.X | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111785644A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王斌;贺贤汉;葛荘;孙泉;张恩荣;马敬伟 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/15;C23C26/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光熔覆制备预焊覆铜陶瓷基板方法，包括如下步骤：1)除油清洗及丝网印刷：覆铜陶瓷基板除油清洗后在表面需焊接芯片位置印刷锡焊膏或涂覆助焊剂后贴附焊片；2)激光熔覆‑预加热：采用0.4～0.8kW功率激光处理锡焊膏或助焊剂进行预加热，排出有机组分；3)激光熔覆‑形成熔覆层：激光熔覆装置抽真空后，通入保护气体，采用1.5～3kW功率激光再次对焊膏区或助焊剂进行处理，使锡焊膏金属化，冷却后形成熔覆层与铜面牢固结合或使焊片四周与覆铜陶瓷基板固接在一起；4)清洗、烘干：将步骤3)得到的预焊覆铜陶瓷基板清洗干净后热风烘干。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 制备 预焊覆铜 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
