[发明专利]一种通过氯掺杂提升CsPbI3在审

专利信息
申请号: 202010603232.1 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111793495A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 陈嘉伟;曾海波;李晓明;宋继中;魏昌庭 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;C01G21/16;B82Y30/00;B82Y20/00;H01L51/50
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 凤婷
地址: 210000 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种通过氯掺杂提升CsPbI3量子点LED性能的方法,通过掺杂一定量的金属氯盐,有效钝化量子点表面缺陷,抑制非辐射复合,从而提升器件性能。通过氯掺杂,CsPbI3量子点LED的外量子效率可从8%左右提升至15%左右。本发明使用的氯掺杂方法,简单易操作,具有普适性;本发明使用的氯掺杂方法可以有效钝化量子点表面缺陷,可以有效提升量子点LED的性能。
搜索关键词: 一种 通过 掺杂 提升 cspbi base sub
【主权项】:
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