[发明专利]一种逆导型IGBT器件在审
| 申请号： | 202010604835.3 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111697070A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李吕强;蓝瑶瑶;郭乔;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/07 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种逆导型IGBT器件，本发明在传统的逆导型IGBT器件的基础上，将集电极结构的N区掺杂区替换为了纵向放置的重掺杂N区和P区构成的二极管，通过控制该重掺杂的N区和P区的掺杂浓度，使该二极管的内建电势达到禁带宽度，使得该二极管在IGBT反向阻断时可以利用隧穿电流起到续流作用，在逆导型IGBT处于正向导通状态下时，器件不存在寄生的VDMOS结构，从而消除了逆导型IGBT器件的snap‑back现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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