[发明专利]电容及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 202010604961.9 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111900150B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;李相遇;金成基;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭;罗英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及电容及其制备方法、应用。电容中SiGe膜的沉积方法，包括：先向半导体基底上供应硅烷系气体，再供应SiGe膜所需的前驱体气体，进行沉积。本发明可以避免SiGe晶体应力对下层膜的损伤，减少电流泄露，提高电容量和器件运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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