[发明专利]不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010604970.8 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111900206A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 尹灵一;吴容哲;刘金彪;王桂磊;贺晓彬;丁明正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法，包括：位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同。本申请通过将栅极做成阶梯状，使得后续使用一个源漏掩模板即可形成不对称的源极和漏极结构，从而不仅改善了晶体管的性能问题，而且也节省了掩模板的制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 型源漏 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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