[发明专利]掩埋型半导体光学装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010607549.2 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN112350145B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 三泷雅俊 | 申请（专利权）人： | 朗美通日本株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/12;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 许睿峤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩埋型半导体光学装置，包括具有在第一方向上延伸的一对凹槽的半导体衬底。掩埋层的上表面具有第一区域，该第一区域与台面条带结构相邻，与所述一对凹槽中的相应一个重叠，倾斜成在第二方向上相对于台面条带结构升高，并且在该第一区域上没有形成钝化膜。掩埋层的上表面具有不与所述一对凹槽中的任何一个重叠的第二区域，该第二区域是平坦的，并且高于第一区域的下端，并且在该第二区域上形成钝化膜。掩埋层的上表面具有在第一区域和第二区域之间与第二区域高度相同的连接区域。 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋 半导体 光学 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗美通日本株式会社，未经朗美通日本株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010607549.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：主被动式屋顶散热装置系统
- 下一篇：一种双通道控制型恒频恒压发电装置
